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多芯片LED与恒流源一体化混合集成设计
资料介绍
摘要：将多芯片LED与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计，保证了3~10 w的多芯片集成LED在低于100 mA的驱动电流下正常工作，恒流源采用跟随浮压技术进行设计，使集成LBD的工作电压在2~
200 V，恒定工作电流在10-100 mA选择，其恒流温度漂移小于5uA/℃，发光效率大于17Ln/w，同时简化了工频驱动电源电路的设计，减少远距离供电线路损耗.
关键词：多芯片LED；恒流；热阻；热沉；硅基板
1主要参数设计
采用单晶硅片作为基板，用双极型集成电路工艺方法在硅片上制作二氧化硅绝缘层、铝导电反光层，将多个LED芯片、SMD电容元件和DISIxxx系列浮压恒流集成芯片集成在基板上，通过光刻和扩散工艺，在单晶硅层形成反向稳压二极管，用于泄放静电，提高LDD的抗静电能力，设计的5w功率级集成LED，采用80个0.3 mm X0.3 mm的LED蓝光芯片，通过涂敷YAG荧光粉后发出白光.主要技术参数为：输入电压范围Vin：DC 150 V；恒定工作电流1o：20 ×2 mA；电流稳定误差A1o< 5%；恒流温度漂移A1，<54A/℃；抗静电电压：Vis 500V；电功率：Pm >w（加散热片）；光效 7Ln/w；热阻：R S16 Kw（包括硅基板和铜热沉）
2电路结构设计
2.1电路原理设计
电路原理设计如图1所示，使用了两个DIS1020A浮压恒流集成一极管分为两路恒流驱动各40个串联LED，每路的工作电流为20 mA.在硅基板上，采用半导体扩散工艺制作了16个56 V/10 mA的稳压二极管以吸收、泄放静电，保护LED不会受到静电的击穿而失效，电路中，设计的电容、二极管主要为了吸收来自外部供电电源的谐波、脉冲和其它干扰信号，减少这些干扰信号对产品的影响，提高产品的可靠性和工作环境适应性.
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| 文件名 | 大小 |
| 多芯片LED与恒流源一体化混合集成设计.pdf | 509K |
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