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一种无片外电容ldo线性稳压器设计
资料介绍
随着便携式电子产品的迅速发展，直流稳压芯片也越来越重要，低压差Qow D ropout LDO）线性稳压器由于具有输出稳定、电压纹波小等优点，得到了广泛的应用。而传统的LDO线性稳压器通常需要较大的片外电容，这会增加应用成本，本文针对传统LDO线性稳压器的缺点，设计了一种无片外电容的LDO线性稳压器。
首先设计一款折叠式共源共栅结构的运算放大器，基于所设计的运放，设计了三种基准电压源结构，分别为传统带隙基准电压源，二阶补偿带隙基准电压源和全Mos基准电压源。然后对这三种基准电压源进行仿真和比较，仿真结果表明，在三种基准电压源中，Mos结构基准电压源的性能是最好的，温度系数为0.58
ppmeC，线性调整率为1754VN，功耗为04mw.
基于所设计的MOs结构的基准电压源，本文设计了一种无片外电容LDO电路，采用密勒补偿电容对环路进行补偿，然后对其进行仿真。仿真结果表明：LDO线性稳压器工作电压可在-9~-15V之间变化，输出电压为8v，最大输出电流为200 mA，线性调整率为941 VN，负载调整率为0.42 VA，温度系数为7812
ppm/C，电源抑制比为-5436 dB，LDO电路的功耗为2.9 mw，瞬态过冲电压为230mv。所设计的LDO线性稳压器基本达到预先设定的指标。最后对整个电路进行版图设计，送交代工厂流片
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| 一种无片外电容ldo线性稳压器设计.pdf | 6M |
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