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具有稳定温度特性的快速低噪声JFET放大器
资料介绍
虽然JFET 是适用于低成本高输入阻抗放大器的优秀器件， 但存在着与温度有关的增益漂移问题。不过只要在-55℃至125℃温度范围内将漏极电流设为零漂移工作点就能改善这个问题。
我们针对此电路测试了多种JFET：索尼的2SK152-2、 Interfet的IFN152以及 Siliconix/Vishay/OnSemi的J309，因为它们都具有较高的增益和大约100pA的低栅极漏电流。这些JFET特别适用于1MΩ至1GΩ输入阻抗的放大器设计。这个电路可以轻松地工作到100MHz以上。
此电路的一个优势是工作温度范围很宽(采用JFET时可达-55℃至125℃)。IC1 可以保持在室温环境下，用比如数英尺长的PTFE同轴电缆连接进行温度隔离。这样JFET就可以安装在非常冷的环境中以便获得最低的噪声，而低噪声是该设计的一个主要目标。
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| 文件名 | 大小 |
| JFET放大器.doc | 86K |
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