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IGBT器件和模块的发展
资料介绍
大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性
薄片工艺，110μm (1200V), 60 μm (600V)
小管芯，15年来管芯的面积减少了2/3
大芯片，4”－5
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| 文件名 | 大小 |
| IGBT器件和模块的发展 | 221K |
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