推荐星级:
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
一种高电压CMOS放大器设计方案
资料介绍
解决方案是采用静电计配置的高阻抗放大器,因此来自测试节点的放大器输入电流就微乎其微。为使输入电流值尽可能低,传统上都把场效应晶体管(FET)用在这些电路的输入端。FET一般是低电压器件,并会引起难以消除的电压失调不确定性。虽然具有包括FET输入的单片式放大器,但它们通常是非常低电压的器件 (特别是那些采用典型CMOS制作方法的放大器),因此其适用范围局限在高电压应用。可以考虑一下LTC6090,这是一款精度在mV以内并能处理超过140VP-P信号摆幅的CMOS放大器,非常适合于解决上述问题。
部分文件列表
文件名 | 大小 |
一种高电压CMOS放大器设计方案.doc | 19K |
相关下载
- 华为模块电源管理设计指导-(V100R001_02 Chi...
- 华为LGA模块PCB设计指导_V2.0_20150126.pdf
- HUAWEI Module USB Interface Descriptor Gui...
- HUAWEI ME909s-821 LTE LGA模块硬件指南V100R...
- HUAWEI ME909s-821 LTE LGA Module Acceptanc...
- HUAWEI 30 mm x 30 mm LGA Module Hardware M...
- HUAWEI 30 mm x 30 mm LGA Module Developmen...
- Altium_Designer_规则设置三例.pdf
- STM32F407产品技术培训-DSP库及其例程
- STM32F407产品技术培训-2.浮点单元.pdf
全部评论(0)