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半导体特性分析应用指南
资料介绍
该应用指南提供了多种方法和技巧:
（1）简化MOS电容器的C-V特性分析
（2）在相同的器件上执行I-V测量和C-V测量，而不需改变线缆
（3）使用新型超快速单脉冲技术(UFSP)，准确评估迁移率
（4）在一个器件上在DC I-V测量、C-V测量和脉冲式I-V测量之间切换
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 半导体特性分析应用指南.pdf | 5M |
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