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BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)
资料介绍
软件实现功能:
串口波特率115200
上电后串口会打印数据出来,按顺序写入数据,然后读取出来,值都会在串口打印出来。
BK3431Q|BK3432 可替代 cc2541,nrf51822,TLSR8266,DA14580等市面主流ble芯片。
部分文件列表
文件名 | 文件大小 | 修改时间 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app.c | 12KB | 2017-11-24 11:43:24 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app.h | 6KB | 2017-11-24 10:08:58 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_batt.c | 6KB | 2018-12-30 22:29:18 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_batt.h | 3KB | 2017-11-24 09:53:32 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_dis.c | 5KB | 2017-11-24 09:54:00 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_dis.h | 4KB | 2017-11-24 09:54:10 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_fff0.c | 7KB | 2017-11-24 09:54:32 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_fff0.h | 3KB | 2017-11-24 09:55:26 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_oads.c | 8KB | 2017-11-24 09:55:50 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_oads.h | 3KB | 2017-11-24 09:56:06 |
BK3431Q-BK3432-内部flash读写实验(可以代替外置EEPROM)/ble_app_gatt/app/app_task.c | 27KB | 2017-11-24 09:52:24 |
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全部评论(1)
2019-03-05 14:09:52贝勒爷1
楼主的资料真实太棒了,我们正好在开发这块,需要这个资料。bk3431q跟bk3432芯片,这两颗芯片确实性价比很好,性能也堪比ti,nodic,国产芯不错!