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MACOM 高功率GaN产品组合

更新时间：2016-11-22 16:13:27 大小：13M 上传用户：巧克力娃娃查看TA发布的资源 标签：MACOM高功率GaN 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(2) 举报

资料介绍

GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本，与传统LDMOS相比GaN的成本较高;目前可用的商用GaN主要还是基于较高成本的SiC基板。第二个原因就是供应链的可靠性;SiC外延供应目前无法达到LDMOS的水平。第三个原因就是供货能力;晶元尺寸支持受到SiC可用能力的限制。 而MACOM提供的第四代Si基GaN技术就可以消除这三个问题，加速GaN技术的普及。纯硅基底相比SiC生长更为迅速，并且容量大成本低，缺陷率也更小。

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2016 GaN Portfolio.pdf 13M

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全部评论(2)

  • 2020-06-03 13:46:00yorkduke

    和Si功率的竞争最后还是要看经济成本是否可以大幅降低

  • 2016-11-28 14:30:22fanwenbinfan

    是我要的

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