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0.18μm CMOS工艺CMOS工艺5GHz+WLAN低噪声放大器和下变频器的设计
资料介绍
本论文主要是基于0.18um CMOS工艺设计用于IEEE802.11a标准的5GHz无线局域网接收机射频前端电路模块，包括低噪声放大器（LNA）和下变频混频器（Down Converte Mixer）电路设计。低噪声放大器是射频接收机前端的主要部分，将天线输入的微弱信号进行放大，其噪声系数非常小，并且具有一定的增益，可以大大降低系统后面各级的噪声对接收信号的影响。混频器是无线收发机的重要组成部分。接收机中的混频器一般为下变频器，它位于低噪声放大器之后，将接收到的射频信号搬移到中频上。
本论文首先介绍了无线局域网发展状况和各种无线局域网标准，重点介绍了5GHz频段的IEEE802.11a标准，分析了各种射频接收机的基本结构及性能参数，并介绍了它们的使用范围和优缺点，提出了本文设计的LNA和Mixer基于的接收机结构。
本文设计的低噪声放大器采用差分共源共栅源极电感退化结构，通过功率约束的噪声优化确定各个器件的参数，输出端采用抽头电容谐振回路进行输出匹配，设计达到了线性度、增益和噪声等方面的要求，最后给出了电路的软件仿真结果及芯片版图。
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| 15606698640.18μmCMOS工艺CMOS工艺5GHz+WLAN低噪声放大器和下变频器的设计.pdf | 24M |
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资料：bitboy
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