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绝缘栅双极晶体管（IGBT）的设计要点
资料介绍
作为新型电力半导体器件的主要代表，IGBT 被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。随着半导体材料和加工工艺的不断进步，IGBT 的电流密度、耐压和频率不断得到提升。目前，市场上的 IGBT 器件的耐压高达 6500V，单管芯电流高达 200A，频率达到 300kHz。在高频大功率领域，目前还没有任何一个其它器件可以代替它。本文着重分析讨论 IGBT 器件的设计要点。
一、IGBT 的基本结构和工作原理
从图 1 可以看出，IGBT 是一个复合器件，由一个 MOSFET 和一个 PNP 三极管组成，也可以把它看成是一个 VDMOS 和一个 PN 二极管组成。图 2 是 IGBT 的等效电路。
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