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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级SOT-MRAM自旋轨道矩器件与三层MTJ堆叠设
大小：38K 更新时间：2026-09-17 下载积分：2分
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级SOT-MRAM自旋轨道矩器件与三层MTJ堆叠设计摘要SOT-MRAM（自旋轨道矩磁阻随机存储器）通过面内电流产生自旋轨道扭矩翻转磁矩，写入速度可达0.4ns，功耗仅为STT-...
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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级RRAM阻变存储器HfO₂介质材料与1T1R单元
大小：38K 更新时间：2026-09-17 下载积分：2分
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级RRAM阻变存储器HfO₂介质材料与1T1R单元设计摘要RRAM（阻变随机存储器）凭借其结构简单、CMOS工艺兼容性好和单元面积小的优势，成为车载存算一体芯片的重要候...
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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级RRAM交变阵列1S1R选择器设计与OTS材料优
大小：37K 更新时间：2026-09-17 下载积分：2分
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级RRAM交变阵列1S1R选择器设计与OTS材料优化摘要RRAM交叉阵列的高密度集成需要选择器（Selector）来抑制漏电路径（Sneak Path），1S1R（1个选择器+1个电阻）单元...
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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级PCM相变存储器的电阻漂移补偿与多值存储技术.d
大小：37K 更新时间：2026-09-17 下载积分：2分
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级PCM相变存储器的电阻漂移补偿与多值存储技术摘要PCM相变存储器的非晶态电阻随时间发生漂移，导致多值存储（MLC）的读取精度下降，是制约PCM在车载存算一体芯片...
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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级PCM相变存储器GST硫系化合物材料与单元设计
大小：38K 更新时间：2026-09-17 下载积分：2分
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级PCM相变存储器GST硫系化合物材料与单元设计摘要PCM（相变存储器）利用Ge₂Sb₂Te₅（GST）硫系化合物在晶态和非晶态之间的可逆相变实现数据存储，具有优异的抗...
