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高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能指南
资料介绍
本应用笔记的目的是为Cree宽带隙器件的用户提供高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能指南。它解释了Cree用于确定其数据表中列出的热阻值的方法。与所有半导体器件一样，SiC MESFET和GaN HEMT器件可靠性直接取决于最大工作通道温度。因此，重要的是要高度自信地确定特定工作模式下的最大通道温度，特别是对于在CW下工作并耗散大量热能的产品。
热阻测定
Cree采用双重方法确定其宽带隙晶体管和MMIC产品的热阻。使用红外（IR）显微镜和有限元分析（FEA）来产生精确的通道到壳体温度差，从中可以计算θjc（结到壳体的热阻）。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| thermal_performance_guide_for_high_power_sic_mesfet_and_gan_hemt_transistors.pdf | 1M |
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