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TFTLCD液晶显示器的驱动原理
资料介绍
我们针对TFT LCD的整体系统面来做介绍，也就是对其驱动原理来做介绍，而其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系，而有所不同，首先我们来介绍由于Cs（storage capacitor）储存电容架构不同，所形成不同驱动系统架构的原理Cs（storage capacitor）储存电容的架构
一般最常见的储存电容架构有两种，分别是Cs on gate与Cs on common这两种，这两种顾名思义就可以知道，它的主要差别就在于储存电容是利用gate走线或是common走线来完成的，在上一篇文章中，我曾提到，储存电容主要是为了让充好电的电压，能保持到下一次更新画面的时候之用，所以我们就必须像在CMOS的制程之中，利用不同层的走线，来形成平行板电容.而在T LCD的制程之中，则是利用显示电极与gate走线或是common走线，所形成的平行板电容，来制作出储存电容Cs.
图1就是这两种储存电容架构，从图中我们可以很明显的知道，Cs on gate由于不必像Cs on common一样，需要增加一条额外白common走线，所以它的开口率（Aperture ratio）会比较大，而开口率的大小，是影响面板的亮度与设计的重要因素，所以现今面板自设计大多使用Cs on gate的方式但是由于Cs on gate的方式，它的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的.（请见图2的Cs on gate与Cs on common的等效电路）而gate走线，顾名思义就是接到每一个TFT的gate端的走线，主要就是作为gate driver送出信号，来打开TFT，好让TFT对显示电极作充放电的动作，所以当下一条gate走线，送出电压要打开下一个TFT时，便会影响到储存电容上储存电压的大小，不过由于下一条gate走线打开到关闭的时间很短，（以1024*768分辨率，60Hz更新频率的面板来说.一条gate走线打开的时间约为20us，而显示画面更新的时间约为16ms，所以相对而言，影响有限.）所以当下一条gate走线关闭，回复到原先的电压，则Cs储存电容的电压，也会随之恢复到正常，这也是为什么，大多数的储存电容设计都是采用Cs on gate的方式的原因.
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