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TFTLCD液晶显示器的驱动原理
资料介绍
我们针对TFT LCD的整体系统面来做介绍,也就是对其驱动原理来做介绍,而其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系,而有所不同,首先我们来介绍由于Cs(storage capacitor)储存电容架构不同,所形成不同驱动系统架构的原理Cs(storage capacitor)储存电容的架构
一般最常见的储存电容架构有两种,分别是Cs on gate与Cs on common这两种,这两种顾名思义就可以知道,它的主要差别就在于储存电容是利用gate走线或是common走线来完成的,在上一篇文章中,我曾提到,储存电容主要是为了让充好电的电压,能保持到下一次更新画面的时候之用,所以我们就必须像在CMOS的制程之中,利用不同层的走线,来形成平行板电容.而在T LCD的制程之中,则是利用显示电极与gate走线或是common走线,所形成的平行板电容,来制作出储存电容Cs.
图1就是这两种储存电容架构,从图中我们可以很明显的知道,Cs on gate由于不必像Cs on common一样,需要增加一条额外白common走线,所以它的开口率(Aperture ratio)会比较大,而开口率的大小,是影响面板的亮度与设计的重要因素,所以现今面板自设计大多使用Cs on gate的方式但是由于Cs on gate的方式,它的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的.(请见图2的Cs on gate与Cs on common的等效电路)而gate走线,顾名思义就是接到每一个TFT的gate端的走线,主要就是作为gate driver送出信号,来打开TFT,好让TFT对显示电极作充放电的动作,所以当下一条gate走线,送出电压要打开下一个TFT时,便会影响到储存电容上储存电压的大小,不过由于下一条gate走线打开到关闭的时间很短,(以1024*768分辨率,60Hz更新频率的面板来说.一条gate走线打开的时间约为20us,而显示画面更新的时间约为16ms,所以相对而言,影响有限.)所以当下一条gate走线关闭,回复到原先的电压,则Cs储存电容的电压,也会随之恢复到正常,这也是为什么,大多数的储存电容设计都是采用Cs on gate的方式的原因.
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TFTLCD液晶显示器的驱动原理.pdf | 6M |
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