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一种低压SRAM位单元电路结构的设计

更新时间:2020-07-27 10:53:57 大小:717K 上传用户:xiaohei1810查看TA发布的资源 标签:sram 下载积分:5分 评价赚积分 (如何评价?) 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文针对制约SRAM最低工作电压降低的因素,提出一种新的单元结构,可以避免写操作时的数据竞争,以及读操作时位线电平对锁存数据的干扰。通过对多种指标的仿真结果的分析,新的单元结构的最低工作电压比起传统SRAM单元有了很大的改善,动态功耗大为降低。

To solve the problems during working in low power voltage, a new 10T SRAM bit cell structure is proposed,and it can eliminate the data conflict during write operation and disturb from bit line to storage data during read operation. The simulation results show the minimum working power voltage and power consumption can be improved greatly compared to the traditional 6T bit cell structure.

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