SJ 50033_183-2018 半导体分立器件 3CK3251 3CK3251UB型硅PNP高

本规范规定了3CK3251、3CK3251UB型硅PNP高须小功率开关昌体管（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制，生产和使用 IE AND NPOR 2规范性引用文件 范的引用而成为本规范的条款。 修改单（不包含均灵的的容 或修订版均不适用于本规范，然而，毁根落规范达成协议的各方研究是否可使用这些 文现新版 期的引用文件，共最版适于规范 GB/T 4587第7部分：极型品体 GB/T7581-198半导 器件外形尽 GB1230- 90功率图 安全工作区测试方法 GJB 331997半导体行上格件点规范GB12$A1997半导体分立器件武验方 GB546电 器件试验方法和程序 3要求 3.1总则 器件应符合木规范和GA33A-1997规定的所有要求。本规范的妹与GB 3A-1997不一致时，应 以本规范为准。 3.2设计、结构和外形》 3.2.1引出端镀涂层 TANDARDS引出微镀涂层应按GB33A-1997中3.8.1的规定。 3.2，2器件结构 器件采用硅外延平面钻构： 3.2.3外形尺寸 3CK3251外形尺寸应符合GB/T7581-1987中的A3-01B型，见图1的规定：3CK3251UB采用UB型金属陶瓷树装，外形尺寸见图2， A1目的 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型品体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温 （）是否达到了规定的数值. A.2设备 数（TSP），A.3程序 ANDUSTRY AND INFORMSTION TE要求测试设备能在罗 酸试器件样本的温度廒感参 h.3.1确认件在手结湿下的四 A3.1.1通 采用一定前小测量电 电流我不5量，而不会产 数的自热 的占空比应不 大于加热时 %.应尽采用与试验环刻 使用 模式相同 加热电流（）。 被试件的构应与进和寿命试 均相目 乃有规定 少抽取5只器作 进行测量。 A.3.1.2确定的鳍担 首先确定者啊 黄试验奖果的温·于军用器件的乙炼师速，最 麦相应的详细规范 规定、除为有规皇外 结温应为被试器件的额定最高结温。 A，31.3达到规的话 应在独立的温餐控的温符温情中威热板上将结温控制到规定值士2K（或按要求）· A.3.1，4记录T即 在被试器件放入并达平后，应采的量电知 桑一系列的TSP，这些ISP应 为品体管的基极一发射极电压）M的】以限死的测量，但不得大至足以产生有 效的自热。 L3.2寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以楼实工~样本中也应包括为重现相同的暴积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他羯件，被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相问。被试器件应与TSP测量设备选行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压，这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3确定寿命试验的条件 A.3.3.1环境温度 环境温度〔T）应是热平衡条件下的规定温度，包括近用时温箱中的任柯热对流或空气赫环效应。 当采用热板时，还应规定其表面温度和一致性。 A3，3.2桩加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等领的有效蕴功率。稍微增大加热电荒，采用对每一只被试器件同时监国一次TSP，注：陵看了的增大，T5P测试值（）金减小，A3.3.3规定结温下的TSP A.3.33.1概述 重复A33.2，直至对试验环境中的所有器件箔加相同等效的电流成有效值功率后，测出的TSP与A332中T$P的测试值相问。应记录每只被试器件达到此所要求的T值所流加的功率。并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A34.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功*数值。 A.3.3.3.2电蔬和功率额定值 如果施加的加热电流或加热功率（P:）超过器件的须定值才能使老炼时器件结祖达到所要求的T则应作下选择 ）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量： ）少试验环境中的股热器： ©）当相应的详细规范中允许时，可以升高T，直至达到所要求的丁。 A3，3.3.3宇航级器件的 当字航级（人）器件进行强度稳态工作寿命试验时，可高于其手册中规定的最高允许结温（对硅器件或请器件，即高于150℃一200℃），T值可以规定为225C~275℃。低选择的试验条件不得使器件结温超过半导休材料的本征半导体温度。，该温度可依本征区或二次击学区（热产生的电子空穴对潘出接近或超过了P结的本底携杂水平）进行确定，该温度也可通过反向渴电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整篷管的反向击字电压（）米观测到。 A3.34达到规定值后 器件应按A33，3，1确定的平均功率进行老栋或寿命试验. 本附录规定丁$MD型器件整体安装强度试验方法。 本方法机拟SMD装器件在安装、使用和返工时受到的应力情况，考核器件承受这些应力的能力，H2试验前和试验后的检查 H2，1试验前的检查 试验前，应使用10倍故大倍数的放大镜对器件进行检查，器件不应有裂纹。 器件的常温电参数应符合相关详细规范的要求。 H2.2试险后的检查 试验后，应使用]0倍放大倍数的放大镜对器件选行检查，器件不应有裂纹。 器件的常温电参数应符合相关样细规范的要求，H.3器件的安装 应将器件安装在101mm×101mm×1.6mm的FR4型印制电路板的中心位置，印制电路板的尺寸和类型也可由相关文件规定，靠荐使用回流焊透行焊接，H.4条件温度循环试验 H.4.1程序 应按照GB128A-1997方法1051对组件进行温度循环试验，试验条件可从方法1051表1051-1中达取或按相关文件规定，默认条件为GB128A-1997方法1051条件B。祖度轿环的次数为10次或按相关文件规定，H42说明 有关文件应规定以下内容： a）印制电路板的尺寸和类型（如与H.4.1规定不同时），b）器件的安装方式： ©）温度缅环试验的条件（如不是条件B）：d山）福度轿环试验的次数（如不是10次）： ©）试验前后的检查（见H2），H.5条件B-剪切试验 H.5.1程序 应无领冲地对器件范加规定大小的剪切力并保持1m血。