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SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒 片

更新时间：2024-06-27 22:22:58 大小：231K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：太阳能电池 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒、片

1.5方片角度：角度为90°±0.5°

1.6 硅单晶切片的外观要求

1.6.1 空间用硅太阳电池的方形，长方形基片要求表面无坑，一面四边无崩边，另一面允许崩边，但对崩边的要求为：不超过侧面厚度的三分之一，长度小于 0.5 mm，向表面内的宽度小于 0.2 mm，崩边数为每厘米内不大于1个，无掉角，四边无缺口。

1.6.2 地面用硅太阳电池的方形，长方形，圆形基片要求一个表面无明显刀痕、凹坑、崩边、掉角、无缺口。

1.7 空间用硅单晶棒、片的其他技术要求如下：

1.7.1 硅单晶棒、片不得有孪品线、层错、六角网络、亚结构、夹杂、空洞、星形结构，并字结构等缺陷，除边缘2毫米圆环外，截面其他部分不得有位错排和小角度晶界。硅单晶棒端截面不应有长度和宽度超过2mm，深度超过1 mm的损伤。

1.7.2 硅单晶棒、片中的反型杂质浓度规定见表4.

1.8 本标准以外的特殊产品，由供需双方协商解决。

2 检测项目和测试方法

2.1 本标准技术要求中1.1、1.2、1.3.1.4.1.5.1.6，1.8.1为必测项目。

2.2 本标准技术要求中 1.8.2、1.8.3 为保证项目。

2.3 几何尺寸用能测准至0.01 mm的任意量具测量。

2.4 方片角度用投影仪测。

2.5 外观一般用目测，特殊情况下可用测量显微镜观测。

2.6 导电类型，按 GB 1550—79《硅单品导电类型测定方法》进行测试。

2.7·电阻率，按GB 1552-79《硅单晶电阻率直流四探针测试方法》或GB 1551-79《直流二探针测量方法》或GB 6615-86《硅单品片电阻率的直排四探针测试方法》或SJ 2442-84《硅单晶片电阻率的直排四探针测试方法》或GB 6616-86《硅单晶片电阻率的非接触式测试方法》或GB 6617-86《硅单晶片电阻率的扩展电阻探针测试方法》进行测试。

2.8 少数载流子寿命，按GB 1553-79《硅单品寿命直流光电导衰退测量方法》或SJ 2443-84《硅单晶寿命的直流光电导衰退测试方法》进行测试。


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