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SJ 21535-2018 电力电子器件用碳化硅外延片规范
资料介绍
范围
本规范规定了电力电子器件用碳化硅外延片(以下简称碳化硅外延片)的技术要求、质量保证、交货准备以及说明事項等内容。
本规范适用于电力电子器件用在n型4H碳化硅衬底上生长了n型(或p型)碳化硅同质外延层的外延片。
2 规范性引用文件
下列
修改单(不包括)或修订版均不适用于本规范,然而,蓝励据 范达成协议的各方研究是否使用这些文件的新版本,凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用子本使范,GB/T662抛无片表面质量目测检验方法
GB/T 1426半导体材料米语
GB/T148-0重掺杂衬底上转杂外层厚度的红外反射测量方法GB/T30656 碳化硅单品指光片
GB/T 32278 硫化硅单品片平鉴度测试方法GJB 17A6计数抽样验程序及表
SJ/T 11503变化硅单品指老片表面粗糙度的方法SJ21493外延片表面缺陷测试方法
要求
3总则
3.1碳化硅外延片应符合本范的所有要求
按本规范提交的产品应是经鉴定音格的产品
3.2 结构、设计和工艺要求
3.2.1 结构与设计
NDARDS AO除另有规定外,碳化硅外延片在衬底和外延层之间应有一层缓冲层,其掺杂类型与外延层相同,见图1。
44鉴定检验
4.4.1 通则
鉴定检验应在鉴定机构认可的试验室进行。所有样本单位(样品)应为生产中通常使用的设备和工艺生产的产品。当原材料或制造工艺发生重大变化时,应重新进行鉴定检验。
4.4.2 样本数量
从同一个生产流程中生产的相同结构和标称相同特性的不少于8片的碳化硅外延片中选择4片。
4.4.3 检验程序
碳化硅外延片鉴定检验的项目、受试样品数量及允许不合格数应符合表6的规定。
4.4.4 合格判据
若受试样品通过表6中各项检验,则鉴定检验合格:若有任何一项检验不符合表6规定时,则鉴定检验不合格。
4.4.5 鉴定合格资格保持
为了保持合格资格,承制方应每12个月向鉴定机构提交一份按3.3~3.6及4.6规定的各项检验的报告。检验应采用在此期间生产的同一批次的样品。
4.5 质量—致性检验
4.5.1 通则
质量一致性检验由A组检验组成,即为逐批检验(即为产品交货检验)。
4.5.2 检验批的组成
通常由相同设备、相同工艺、同一生产周期连续生产的同一标称尺寸和特性的碳化硅外延片一次性提交构成一个检验批。
4.5.3 检验项目
碳化硅外延片检验项目见表7。
4.5.4 抽样方案
除另有规定外,A组检验项目按GJB 179A-1996的一般检验水平11的一次正常抽样方案抽取,可接受质量水平应符合表7的规定。
4.5.5 合格判据
A组检验中任一项或一项以上不符合表7要求时,该批碳化硅外延片不合格。
4.5.6 不合格处理
如果一个检验批是因为外延片表面质量不合格的,承制方可以返工该批产品以纠正其缺陷或剔除有缺陷的产品,并重新提交进行复验,不合格的采用一次加严检验抽样方案进行全部A组项目检验。复检不合格的检验批则判为该批不合格。
4.6 检验方法
4.6.1 外延片测试有效区域
碳化硅外延片测试有效区域系指外延片直径76.2 mm和100.0 mm去除距边缘3 mm以后的区域:外延片直径150.0 mm去除距边缘5 mm以后的区域。
4.6.2 崩边
崩边按GB/T 6624 进行测量。
4.6.3 表面缺陷和表面缺陷密度
表面缺陷按SJ21493进行分类统计,并计算出表面缺陷密度。
4.6.4 表面粗糙度
表面粗糙度按SJ/T 11503进行测量。
除另有规定外,直径76.2 mm碳化硅外延片至少在中心和边缘各选取1个点进行测试:直径100.0 mm和150.0 mm碳化硅外延片至少沿直径方向选取3个点进行测试。测试均在4.6.1规定的有效区域内进行
4.6.5 外延层厚度
外延层厚度按照GB/T 14847进行测量。
除另有规定外,直径76.2mm和 100.0 mm碳化硅外延片测试点应不少于9个;直径150.0 mm碳化硅外延片测试点应不少于17个,除中心点外,其余各点均匀分布于4个象限内,取所有测试点的厚度平均值作为外延层厚度的测试结果。
外延层厚度均值与设计值偏差(绝对值)按照公式(1)计算:
部分文件列表
文件名 | 大小 |
SJ_21535-2018_电力电子器件用碳化硅外延片规范.pdf | 5M |
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