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SJ 21530-2018 多层共烧陶瓷 表层光刻工艺技术要求
资料介绍
范围
本标准规定了多层共烧陶瓷表层光刻工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及多层共烧陶瓷表层光刻工艺的典型工艺流程、工序技术要求、检验要求等详细要求。
本标准适用于多层共烧陶瓷表层光刻王艺。
规范性引用文件
下列文作中的用文件，其能后所有的
修改单（不包含勘美 容减修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根 本械准这成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本通用于未材准。
GB/T 118-1096 形状和位置公差 未注公差值GB/T18002，2009 极限与配合 基础 第2部分：标准公参等级和孔、轴樱摄似差表GB/T 1462 膜集成电路用氧化铝陶瓷基片GB/T 16880 光掩模缺岛分类和尺寸定义的推则GB/T259-2010 洁净室及相关受挖环境 教部分：空洁净度等级SJ/T 11508成电路用磁显影液
3 术语和定义用于本标准。
23.1
s spray coating相对于传统旋转涂胶i采用超市/氮气等手段将微小校
TANDAR射到校表面，形成与基板表面共
喷胶
形的光刻胶膜层。
3.2异形基板 non-regular substrate含有腔体、台阶、凸起、凹陷、曲面等非平面结构的多层共烧陶瓷基板。
3.3对位精度 alignment accuracy曝光工序中掩模版图形与基板上已有结构或图形之间位置对准能力。
一般要求
4.1人员
人员要求如下：
a）应掌握光刻工艺相关的基础知识，并经过专业岗位技术培训，经考核合格后，持岗位资格证上岗：
b）应掌握环境保护和职业健康安全相关的基础知识，能应急解决工艺过程中可能出现的问题c）应了解相关管理制度，并自觉遵守人员着装和污染防控的各项规定；d）应熟练掌握工艺设备和仪器的操作方法；e）应严格按照工艺要求进行操作，并按规定的格式填写工艺记录。
4.2 环境
4.2.1 温度
温度；20 ℃~26 ℃.
4.2.2 相对湿度
相对湿度：30%～70%
4.2.3 洁净度
多层共烧陶瓷表层光刻工艺间空气净化洁净度应符合或优于GB/T 25915.1-2010中ISO 6级规定。
4.2.4 工作场所
光刻工艺的全部工序应在黄光区域。
工作台面应保持干净，物料摆放有序、整齐，所用设备仪器应保持干净整洁。
4.3 设备、仪器和工装
4.3.1 设备和仪器
设备应定期进行检定，仪器应定期进行计量校准，设备和仪器均应在有效期内使用，常用设备和仪器见表1.
4.3.3 掩模板
4.3.3.1 新模板的检验
对于首次启用的模板，应根据GB/T 16880对掩模版缺陷及尺寸的定义，按照以下要求进行检验：
a）模板图形尺寸公差：按照GB/T 1800.2公差与公差配合的要求或按照具体工艺要求检验：
b）模板图形的形位公差：按照GB/T 1184-1996规定9级要求进行检验，若模板检验不合格，则应退换或报废处理。
4.3.3.2 模板使用过程中检验
模板每次使用前，应首先对模板的表面状态进行检验，判定模板是否存在沾污、磨损、缺损等现象，必要时进行特征图形关键尺寸检验。
4.3.3.3 周期检验
模板经过长时间的使用，应进行周期验证。验证项目包括外观检验、关键尺寸检验和首件检验。周期验证不合格的模板，应执行报废处理。
4.3.3.4 模板检验方法
外观检验在10倍～45倍显微镜下进行，应符合4.5.3.2的要求；图形尺寸和形位公差采用工具显微镜或三维光学轮廓仪测量，应符合4.5.3.1的要求。
4.4 材料
4.4.1 主料
多层共烧陶瓷表层光刻工艺的主料为经过表面处理的多层共烧陶瓷基板，符合光刻工艺对表面粗糙度的要求，主料应是检验合格的产品.
主料应符合下列要求：
a）基板表面沉积的适用膜层体系包括：Ti、TiW、Au等：
b）基板表面应光洁平整，无裂纹、划痕等缺陷，无碎屑等异物污染，符合GB/T 14620的外观要求；基板应标注批次号：
c）
基板应保存在片盒中，避免堆叠、摩擦：
e）1）
基板存放与取用过程中，应保持基板平整无弯折，避免拉扯、挤压：基板存放与取用过程中，应戴指套或手套，避免硬物刮擦和污染。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| SJ_21530-2018_多层共烧陶瓷_表层光刻工艺技术要求.pdf | 4M |
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