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SJ2534.16-1987 天线测试方法 功率容量的测量
资料介绍
限制功率容量的因素
天线的功率容量系指天线承受功率的能力。功率容量在高平均功率电平时受到金属或介质发热的限制,而在高峰值功率电平时则受到与强电场有关的电弧放电、电压击穿或电晕放电的限制.
2击穿与天线周围空气物理特性的关系
2.1 击穿与气压的关系
击穿与气压有关,当气压很低时,击穿功率电平随气压的增加而减小,其达到最小值的气压(辉光放电)与波长有关,在高气压下,它随气压的升高而增大。在高真空条件下(例如在卫星高度上)进行功率容量测量时,二次电子倍增是任何一种天线的一种可能的击穿机理。二次电子倍增是出现在高真空条件下的天线谐振现象。当电子从天线的一个电极到另一个电极的渡越时间可与工作频率的倒数相比拟时,由于电子碰撞引起表面电离,从而导致电子密度增大。
2.2 等离子体环境下的击穿现象
对于装在重返大气层的运载器上的天线,应在电离空气包围该运载器的情况下确定功率容量。当天线的发射功率提高到某一电平时,电离气体所吸收的功率足以使气体发热并使电子密度增大。在这种情况下确定击穿的最重要的参数是临界等离子体密度。击穿的定义与初始等离子体密度的大小有关。
2.2.1 临界等离子体密度
电离气体的自然振荡频率等于天线激励频率时的等离子体密度称为临界等离子体密度。
当电离气体的自然振荡频率远低于天线激励频率时,该等离子体称为低于临界密度的或低密1度的。
2.2.2 初始等离子体密度低于临界密度时击穿的定义若初始的等离子体密度远低于临界密度,则未扰动的气体对天线场的影响可以忽略。这种情况下击穿被定义为使受扰动的电离气体成为过临界(过密度)并使等离子体以外的发射功率发生剧降的输入功率。
2.2.3 初始等离子体密度接近临界密度时击穿的定义若初始等离子体密度接近或超过临界密度,击穿的定义就更复杂了,此时未扰动的电离气体可能对天线场有严重影响,通常不能忽略。在这种情况下,通用的击穿定义是指一个特定的输入功率电平,当输入功率超过此电平时,等离子体外的发射功率不再有明显增加。
3 功率容量的测量
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