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SJ1827-1981 3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管

更新时间：2024-06-20 21:59:55 大小：166K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：人机界面 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本标准适用于3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管。该产品在电子设备中主要作饱和及非饱和开关用。

1，该产品除按本标准规定外，二类应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定，三类应符合 SJ 281-76 的规定。

2，外形结构和尺寸应符合附图的规定。

3，技术要求和试验方法

（1）电参数应符合参数规范表的规定，电参数的测试方法应符合SJ 300~314--72《半导体三极管测试方法》的规定。

（2）hpE分档标志：

允许测试误差为±10%。

（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a，b，d三项参数应符合参数规范表的规定，hra的相对变化不得超过±20%。

a.反向电流；b.饱和压降；c.电流放大系数：

d.反向击穿电压。

（4）高温贮存和额定功率试验条件

a.高温贮存试验条件：按Tin为125℃下进行

b.额定功率试验条件：功率为Per值，电压Vca为8V.

（5）高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核：a.Icno不得大于规范值的两倍；b.hrs的相对变化不得超过±25%；c.VaEts.t）的相对变化不得超过+20%；d.Veacs.的相对变化不得超过+0.1V；

（6）引出线抗拉强度试验和弯曲试验应符合 SJ 1328-78《电子元器件引出端强度试验方法》的规定。

e.Vcnrcso的相对变化不得超过-20%.

4.说明

（1）本标准参数表中的电参数均以25℃为准。

（2）生产单位应在产品目录中提供下列典型特性曲线

a.In—Var的关系曲线；b.Ic-Vcs的关系曲线；c.V（BRICEO、V（BR）EBO--T.的关系曲线；d.hpi--T。的关系曲线

e.hpe——Ic 的关系曲线；f.fr-—Ic 的关系曲线；g.Ieso、Icno--T。的关系曲线；h.t，—Iat 的关系曲线；i.t，—In1的关系曲线；j.t，—Ic 的关系曲线；k.t，-Ic 的关系曲线；

1.to——In的关系曲线；m.ton——Ic的关系曲线。


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SJ1827-1981_3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管.pdf 166K

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