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SJ1827-1981 3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管
资料介绍
本标准适用于3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管。该产品在电子设备中主要作饱和及非饱和开关用。
1,该产品除按本标准规定外,二类应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规定,三类应符合 SJ 281-76 的规定。
2,外形结构和尺寸应符合附图的规定。
3,技术要求和试验方法
(1)电参数应符合参数规范表的规定,电参数的测试方法应符合SJ 300~314--72《半导体三极管测试方法》的规定。
(2)hpE分档标志:
允许测试误差为±10%。
(3)环境试验后,按顺序测量下列电参数,a,b,d三项参数应符合参数规范表的规定,hra的相对变化不得超过±20%。
a.反向电流;b.饱和压降;c.电流放大系数:
d.反向击穿电压。
(4)高温贮存和额定功率试验条件
a.高温贮存试验条件:按Tin为125℃下进行
b.额定功率试验条件:功率为Per值,电压Vca为8V.
(5)高温贮存和额定功率试验后,按下列标准考核:a.Icno不得大于规范值的两倍;b.hrs的相对变化不得超过±25%;c.VaEts.t)的相对变化不得超过+20%;d.Veacs.的相对变化不得超过+0.1V;
(6)引出线抗拉强度试验和弯曲试验应符合 SJ 1328-78《电子元器件引出端强度试验方法》的规定。
e.Vcnrcso的相对变化不得超过-20%.
4.说明
(1)本标准参数表中的电参数均以25℃为准。
(2)生产单位应在产品目录中提供下列典型特性曲线
a.In—Var的关系曲线;b.Ic-Vcs的关系曲线;c.V(BRICEO、V(BR)EBO--T.的关系曲线;d.hpi--T。的关系曲线
e.hpe——Ic 的关系曲线;f.fr-—Ic 的关系曲线;g.Ieso、Icno--T。的关系曲线;h.t,—Iat 的关系曲线;i.t,—In1的关系曲线;j.t,—Ic 的关系曲线;k.t,-Ic 的关系曲线;
1.to——In的关系曲线;m.ton——Ic的关系曲线。
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SJ1827-1981_3DK6型NPN硅外延平面小功率开关三极管.pdf | 166K |
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