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SJ1468-1979 3CG100型PNP硅外延平面高频小功率三极管

更新时间:2024-06-20 21:52:01 大小:160K 上传用户:xuzhen1查看TA发布的资源 标签:三极管 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1468-1979 3CG100型PNP硅外延平面高频小功率三极管

1,本标准适用于3CG100型PNP硅外延平面高频小功率半导体三极管。

该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。

2,该产品除本标准规定外,三类应符合SJ 281-76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定。二类应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》

的规定。

3.外型结构和尺寸应符合SJ 139-78《半导体三极管外形尺寸》的B-1型。

4.技术要求和试验方法:

(1)电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法,应符合SJ 155~

170—65《半导体三极管测试方法》的规定。

(2)hFE 分档标志:

注:允许测试误差±10%。

(3)环境试验后,按顺序测量下列电参数,a、b、d三项应符合参数规范表的规范值,hrE 的相对变化不得超过 ±20%

a.反向电流

b.饱和压降;c.电流放大系数

d.反向击穿电压。

(4)高温贮存和额定功率试验条件

a.高温贮存试验条件:按Tix为175°C下进行;b.额定功率试验条件:功率为Pcx值;电压Vca为10V。

(5)高温贮存和额定功率试验后,按下列标准考核;o不得大于规范值的两倍,的相对变化,不得超过±35%;s的相对变化,不得超过±20%;s的变化不超过0.1V+VcEst+20%。

5.说明:

(1)本标准参数表中的电参数,均以25°C为准;

(2)生产单位应在产品目录中提供Kp、Cos、Nr的典型值;

(3)生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线;a,IB-VBESI b.-Ic-VcEs Eo,BVcвo-TAs -TA;-Ici -Icsg.Kρ-Ics -Vcв

o,Icвo-TA(4)光刻版图尺寸见附录三中图1


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