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SJ1468-1979 3CG100型PNP硅外延平面高频小功率三极管

更新时间：2024-06-20 21:52:01 大小：160K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：三极管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1468-1979 3CG100型PNP硅外延平面高频小功率三极管

1，本标准适用于3CG100型PNP硅外延平面高频小功率半导体三极管。

该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。

2，该产品除本标准规定外，三类应符合SJ 281-76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定。二类应符合SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》

的规定。

3.外型结构和尺寸应符合SJ 139-78《半导体三极管外形尺寸》的B-1型。

4.技术要求和试验方法：

（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合SJ 155~

170—65《半导体三极管测试方法》的规定。

（2）hFE 分档标志：

注：允许测试误差±10%。

（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a、b、d三项应符合参数规范表的规范值，hrE 的相对变化不得超过 ±20%

a.反向电流

b.饱和压降；c.电流放大系数

d.反向击穿电压。

（4）高温贮存和额定功率试验条件

a.高温贮存试验条件：按Tix为175°C下进行；b.额定功率试验条件：功率为Pcx值；电压Vca为10V。

（5）高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核；a.Iceo不得大于规范值的两倍，b.hrz的相对变化，不得超过±35%；e.VBEs的相对变化，不得超过±20%；d.Vces的变化不超过0.1V+VcEst+20%。

5.说明：

（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准；

（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Cos、Nr的典型值；

（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线；a，IB-VBESI b.-Ic-VcEs c.BVcEo，BVcвo-TAs d.hre-TA；e.hrE-Ici f.fr-Icsg.Kρ-Ics h.Cos-Vcв

i.IcEo，Icвo-TA（4）光刻版图尺寸见附录三中图1


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