您现在的位置是:首页 > 教程 > QFN封装工艺
推荐星级:
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

QFN封装工艺

更新时间:2018-12-14 19:57:37 大小:6M 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 标签:qfn封装工艺 下载积分:0分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

摩阑定律是指:IC上可容纳的电晶敷目,约每隔18个月便增加一倍,性能也将提升一倍。摩阑定律是由英特阑(Intel)名馨董事摩阑经是期跟察酸现得之。摩阑定律是指一个尺寸相同的晶片上,所容纳的电晶造敷量,因製程技衡的提升,每十八个月加倍,但售假相同;晶片的容量是以电晶醴(Transistor)的敷量多寡来计算,电晶愈多则晶片执行算的速度愈快,雷然,所需要的生技衔愈高明。若在相同面精的晶圆下生同模规格的IC,随著製程技衡的难步,每隔一年半,IC座出量就可增加一倍,换算为成本,即每隔一年半成本可降低五成,平均每年成本可降低三成多。就摩雨定律延伸,IC技衔每隔一年半推一个世代。摩定律是管部估半薄建技衔难展的经验法则,其重要的意羲在于期而,IC裂程技衔是以一直象的方式向前推展,使得IC座品能持绩降低成本,提升性能,增加功能。台横电董事畏忠谋先生曾表示,摩阑定律在遇去30年相酱有效,未来10~15年应依然用。


部分文件列表

文件名 大小
QFN封装工艺.ppt 6M

全部评论(0)

暂无评论

上传资源 上传优质资源有赏金

  • 打赏
  • 30日榜单

推荐下载