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阻变存储器擦写PUF的实现方案
资料介绍
由于阻变存储器(resistive random access memories,RRAM)独特的导电细丝形成原理,基于其的物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)在硬件安全方面已受到了广泛的研究。这项工作提出了在RRAM擦写时实现PUF的方案。与传统的RRAM PUF不同,这种PUF利用了RRAM在擦写时导电细丝的随机性而得到随机的密钥,并且不需要特定的阻值分布和额外的硬件电路。本文通过1kb的RRAM阵列对其进行了评估,并利RRAM固有的随机性扩展了激励响应对空间,所得密钥的片外汉明距离和均匀性均接近50%。
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