N32L40x系列用户手册.

N32L40x系列用户手册 文中的缩写 寄存器描述表中使用的缩写列表 在对寄存器的描述中使用了下列缩写： read/write(rw) 软件能读写此位。 read-only(r) 软件只能读此位。 write-only(w) 软件只能写此位，读此位将返回复位值。 read/clear(rc_w1) 软件可以读此位，也可以通过写‘1’清除此位，写‘0’对此位无影响。 read/clear(rc_w0) 软件可以读此位，也可以通过写‘0’清除此位，写‘1’对此位无影响。 read/clear by read(rc_r) 软件可以读此位，读此位将自动地清除它为‘0’，写‘0’对此位无影响。 read/set(rs) 软件可以读也可以设置此位，写‘0’对此位无影响。 read-only write trigger(rt_w) 软件可以读此位，写‘0’或‘1’触发一个事件但对此位数值没有影响。 toggle(t) 软件只能通过写‘1’来翻转此位，写‘0’对此位无影响。 Reserved(Res.) 保留位，必须保持默认值不变。 可用的外设 有关 N32L40x 系列全部型号，某外设存在与否及其数目，请查阅相应型号的数据手册。 ICode 总线：将 Cortex™-M4FP 内核的 ICode 总线与闪存指令接口相连接。指令预取在此总线上完成。  DCode 总线将 Cortex™-M4FP 内核的 DCode 总线与闪存存储器的数据接口相连接（常量加载和调试访 问）。 SBus 总线连接 Cortex™-M4FP 内核的 SBus 总线（外设总线）到总线矩阵，总线矩阵协调着内核和 DMA 间的访问。  SAC/CRC 设计了矩阵互联，支持软件触发的方式进行 DMA 传输。  系统包含 2 个 AHB2APB 桥，即 AHB2APB1 和 AHB2APB2。其中 APB1 PCLK 的最高速度为 16MHz； APB2 PCLK 最高速度为 32MHz。 总线地址映射 总线地址映射包括所有 AHB 和 APB 外设：AHB 外设、APB1 外设、APB2 外设、Flash、SRAM、SystemMemory 等。SRAM 的地址空间位于 SRAM 的 bit-band 区，可以通过 bit-band Alias 进行原子访问，以完成唯一性的 读-改-写操作。所有 APB 和 AHB 外设的地址空间均位于外设的 bit-band 区，可以通过 bit-band Alias 位带 别名进行原子访问，以完成唯一性的读-改-写操作。具体映射如下： Bit banding Cortex™-M4FP 存储器映像包括两个位段（bit-band）区。这两个位段区将别名存储器区中的每个字映射到 位段存储器区的一个位，在别名存储区写入一个字具有对位段区目标位执行读-改-写操作的相同效果。 外设寄存器和 SRAM 都被映射到一个位段区里，这允许执行单一的位段区写和读操作。 下面的映射公式给出了别名区中的每个字节是如何对应位段区的相应位的： bitband_byte_addr = bitband _base + (byte_offset×32) + (bit_number×4) 其中： bitband _byte_addr 是别名存储器区中字节的地址，它映射到某个目标位; bitband _base 是别名区的起始地址; byte_offset 是包含目标位的字节在位段里的序号; bit_number 是目标位所在位置（0-7）。 举个例子： 下面的例子说明如何映射别名区中 SRAM 地址为 0x20000400 的字节中的位 4： 0x22008010 = 0x22000000 + (0x400×32) + (4×4)。 对0x22008010地址的写操作与对SRAM中地址0x20000400字节的位4执行读-改-写操作有着相同的效果。 读 0x22008010 地址返回 SRAM 中地址 0x20000400 字节的位 4 的值（0x01 或 0x00）。请参考《Cortex™- M4 技术参考手册》以了解更多有关位段的信息。 启动管理 启动地址 在系统启动时，可以通过 BOOT0 引脚和选项字节 BOOT 配置（USER2）来选择在复位后的启动模式，在 系统复位后或从待机模式退出时，BOOT 引脚的值将被被重新锁存，选项字节 boot 配置（USER2）会重新 被读取。经过启动延迟之后，CPU 从地址 0x0000_0000 获取堆栈顶的地址，并从地址 0x0000_0004 指示的 复位向量地址开始执行代码。由于 Cortex-M4FP 始终通过 ICode 总线从地址 0x0000_0000 和 0x0000_0004 获取堆栈顶指针和复位向量，所以启动仅适合于从 CODE 代码区开始，设计上需要对启动空间进行地址重 映射。有三种启动模式可选：  从主闪存存储器(Main Flash)启动：  主闪存存储器被映射到启动空间（0x0000_0000）；  主闪存存储器可在两个地址区域访问，0x0000_0000 或 0x0800_0000（ICode/DCode/DMA）；  从系统存储器(System Memory)启动：  系统存储器被映射到启动空间（0x0000_0000）；  系统存储器可在两个地址区域访问，0x0000_0000 或 0x1FFF_0000（ICode/DCode/DMA）；  从内置 SRAM 启动：  内置 SRAM 被映射到启动空间（0x0000_0000）；  内置 SRAM 可在两个地址区域访问，0x0000_0000 或 0x2000_0000（ICode/DCode/SBus/DMA）； 启动配置 另外，SRAM 还可以通过虚拟地址段 0x1000_0000 进行存取访问，这使得 CPU 从 Main Flash 或 System Memory 启动后，可跳转到 SRAM 通过 ICode/DCode 运行程序（注意不是从 SRAM 启动程序，不属于启动 模式）。除了 BOOT 引脚配置启动程序外，还有两种方式可以在 SRAM 运行程序：  直接跳转到 SRAM 的物理地址段 0x2000_0000 运行程序，此时将通过 SBus 运行程序；  跳转到 SRAM 的虚拟地址段 0x1000_0000，内部重映射到物理地址段 0x2000_0000 运行程序，此时将 通过 ICode/DCode 高效运行程序。