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MOSFET原理功率MOS及其应用

更新时间：2020-12-01 09:17:22 大小：36M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：mosfetmos管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金属-氧化层-半导体-场效应晶体管电压控制电流型器件（电压产生的电场）

单极型器件（只有一种载流子，N：电子，P：空穴）

它具有双极型±极管的体积小、重量轻、耗电少

寿命长等优点

具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪

声低、制造工艺简单、便于集成等特点。

在大规模及超大规模集成电路中得到广泛的应用。

耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道

1.开启电压∨r:MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。

2.夹断电压p：是耗尽型FET的参数，当∨es=Vp时，漏极电流为零。

3.饱和漏极电流lss耗尽型场效应三极管当∨es=0时所对应的漏极电流

4.直流输入电阻Res栅源间所加的恒定电压es与流过栅极电流les之比。结型：大于109，绝缘栅：10~105。

5.漏源击穿电压eRDs：使开始剧增时的VDs

6.栅源击穿电压eR）es JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压

功率MOS结构

横向通道型：指 Drain、Gate、Source的终端均在硅晶圆的表面，这样有利于集成，但是很难获得很高的额定功率。这是因为 Source与 Drain间的距离必须足够大以保证有较高的耐压值。

垂直通道型：指 Drain和 Source的终端置在晶圆的相对面，这样设计 Source的应用间会更多。当Source与 Drain间的距离减小，额定的lds就会增加同时也会增加额定电压值。垂直通道型又可分为VMoS、DMOs、UMos


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