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功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

更新时间：2020-10-21 22:55:02 大小：225K 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：mosfet驱动电路 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。

Semiconductor switch device is the key component of switching mode power supply,the design of its drive circuit is one of the key technologies,due to the different structure of power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET） and insulated gate bipolar transistor（IGBT）,their driver requirement and technology are different,the C_（gs） of low power MOSFET is within 10~100 pF,while the C_（gs） of high power MOSFET can range from 1~10 nF,so it may need larger dynamic driver power.In the present,opto-isolated and magnetic transformer isolated drivers are the two main isolated dri...

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