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一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路

更新时间：2020-06-17 17:58:28 大小：2M 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：电荷保持mosfet 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文提出一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路,对电路的工作原理、性能特性进行分析,并建立仿真模型。该驱动电路由变压器原边H桥、驱动变压器T及副边次级驱动电路构成;原边H桥由四个MOSFET组成,副边次级驱动电路由两个MOSFET及一双向开关管组成。通过理论计算与仿真分析可知该驱动电路具有驱动效率高、既能驱动单管也能驱动双管、驱动电路的开关部分能实现软开关等优点。

A novel Charge holding-based MOSFET driving circuit was proposed. Operational prjnciple,circuit characteristics and design criteria for the key circuit parameters were in vestigated. Simulation was set up. The circuit is constituted of transformer primary side H bridge and secondary side drive circuit; primary side H consists of four MOSFET,secondary side drive circuit consists of two MOSFET and double-throw switch. Through theoretical calculation and simulation analysis,the drive circuit has the advantages of high drive efficiency,not only can drive the single tube,but also can drive the double switch,the drive circuit of the switch part can realize soft switching and so on.

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