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MOSFET开关基础知识
资料介绍
一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题,比如一个5V的电源,经过管子后可能变为了4.5V,这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载的最小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才想起来管子上占了一部分压降了,类似的问题还有在使用二极管的时候(尤其是做电压反接保护时)也要注意管子的压降问题。
开关电路原则
三极管只要发射极e对电源短路就是电子开关用法
N管发射极E对电源负极短路.(搭铁)低边开关;b-e正向电流饱和导通
P管发射极E对电源正极短路.高边开关;b-e反向电流饱和导通
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MOSFET开关基础知识.pdf | 168K |
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全部评论(3)
2018-08-24 22:37:12584410849
不错,谢谢分享
2018-08-06 08:54:10承蒙
才几个字,有点过了
2018-08-03 19:23:06tangbinxinyuan
不错,谢谢分享