LKS32MC45x_用户手册_v1.46

LKS32MC45x_用户手册_v1.46 文档约定 1.1 寄存器读写权限 RW 读/写，软件可以读写这些位。 RO 只读，软件只能读取这些位。 WO 只写，软件只能写入该位。读取该位时将返回默认值。 RW1C(Read and Write 1 to Clear) 可读，写 1 清零。 RS 读/写 1，写 0 无效 1.2 缩略词汇表 字：32 位数据/指令。 半字：16 位数据/指令。 字节：8 位数据。 双字：64 位数据。 CRAM：Code RAM ADC：Analog-Digital Converter，模数转换器 DAC：Digital-Analog Converter，数模转换器 BGP：Bandgap，带隙基准 WDT：Watch dog，看门狗 LSI：Low Speed Internal Clock，即 32kHZ RC 时钟 HSI：High Speed Internal Clock，即 12MHz RC 时钟 HSE：High Speed External Clock，即 10~24MHz 外部晶振时钟 PLL：Phase Lock Loop Clock，即 192MHz 锁相环时钟，通常用作系统高速时钟 POR：Power-On Reset，即上电复位，芯片系统上电时产生的复位信号 NVR：Non-Volatile Register，flash 中区别于 main 区域之外的一块存储区域 IAP（在应用中编程）：IAP 是指可以在用户程序运行期间对微控制器的 Flash 进行重新编程。 ICP（在线编程）：ICP 是指可以在器件安装于用户应用电路板上时使用 JTAG 协议、 SWD 协 议或自举程序对微控制器的 Flash 进行编程。 CW：Clock wise，顺时针 CCW：Counter clock wise，逆时针 Option bytes: 选项字节，保存在 Flash 中的 MCU 配置字节 系统概况 2.1 简述 LKS32MC45x 系列 MCU 是双电机驱动的高端 MCU，配备 192MHz 内核，以及丰富的模拟和外 设资源，广泛适用于各种对算力有较高需求的电机控制应用。 2.2 特性 o 192MHz 32 位内核 o 8 通道 DMA o 6uA 低功耗休眠模式 o -40~105℃工业级工作温度范围 o 2.2V~3.6V 单电源供电，内部集成数字供电 LDO，部分型号支持 5V 供电 o 部分 IO 兼容 5V 电平 o 超强抗静电和群脉冲能力 2.2.1 存储 o 128/256kB Flash，数据防盗功能 o 40kB RAM 2.2.2 时钟 o 内置 12MHz 高精度 RC 时钟，全温度范围精度±1% o 内置 32kHz 低速时钟，供低功耗模式使用 o 内部 PLL 可提供最高 192MHz 时钟 2.2.3 外设 o 3 路 UART o 2 路 SPI o 2 路 IIC o 3 路通用 16 位 Timer ，2 路通用 32 位 Timer，支持捕捉和边沿对齐 PWM o 电机控制专用 PWM 模块，支持 4 对/8 路 PWM 输出，独立死区控制 o 2 路 Hall 信号专用接口，支持测速、去抖 o 硬件独立看门狗+硬件窗口看门狗 2.2.4 模拟模块 o 集成 3 路 14bit SAR ADC，2Msps 采样及转换速率，每路 ADC 有 16 个信号通道，且正端 信号通道和负端信号通道可自由配置。 o 集成 6 路 OPA，可设置为差分 PGA 模式 o 集成 6 路比较器 o 集成 2 路 12bit DAC 数模转换器，作为内部比较器输入 o 内置 1.2V 0.5%精度电压基准源 o 内置 1 路低功耗 LDO 和电源监测电路 o 集成高精度、低温飘高频 RC 时钟 地址空间 数据字节以小端格式存放在存储器中。一个字里的最低地址字节被认为是该字的最低有效字节， 而最高地址字节是最高有效字节。其他所有没有分配给片上存储器和外设的存储器空间都是保留的 地址空间。 由于 RAM 的读取速度远高于 FLASH，将程序从 FLASH 空间拷贝到 CRAM 空间可以加速程序的 取指和执行。对于某些对于 Data RAM 需求较小的应用，可以将 SRAM 用作 CRAM，用于存储需要 加速运行的程序片段。 通 过 SYS_REMAP 寄 存 器 共 可 以 配 置 4 种 地 址 空 间 ， 主 要 用 于 将 SRAM 映 射 到 0x0000_0000~0x1FFF_FFFF 以扩大 Code RAM 空间，以便程序加载到 RAM 中执行提高关键代码运 行效率.