LKS32MC061_数据手册_v1.3

LKS32MC061_数据手册_v1.3 概述 1.1 功能简述 LKS32MC061C6T8 是一款采用 32 位内核的面向电机控制应用的专用处理器，集成了常用电机 控制系统所需要的所有模块：  性能  96MHz 32 位内核  32 位硬件除法指令  32 位硬件开方指令  超低功耗睡眠模式，低功耗休眠电流 10uA  工业级工作温度范围  超强抗静电和群脉冲能力  存储器  32K Flash，带加密功能  4K RAM  工作范围  3.3V~5V 电源供电，内部集成两个 LDO，分别为模拟和数字电路供电  温度范围: -40~105℃  时钟  内置 4MHz 高精度 RC 时钟，-40~105℃范围内精度在±1%之内  内置低速 32KHz 低速时钟，供低功耗模式使用  4~8MHz 外部晶振  内部 PLL  外设模块  两路 UART  一路 SPI，主从模式  一路 I2C，主从模式  4 个通用 16 位 Timer，支持捕捉和边沿对齐 PWM 功能 2 个通用 16 位 Timer，支持正交编码输入，CW/CCW 输入，脉冲+符号输入  电机控制专用 PWM 模块，支持 8 路 PWM 输出，独立死区控制  Hall 信号专用接口，支持测速、去抖功能  硬件看门狗  模拟模块  集成 2 路 12BIT SAR ADC，最高采样率 3MHz，每路 12 通道  集成 4 路运算放大器，可设置为差分 PGA 模式  集成两路比较器，可设置滞回模式  集成 12BIT DAC 数模转换器  内置±2℃温度传感器  内置高精度电压基准源  内置 2 路低功耗 LDO 和电源监测电路  集成高精度、低温飘高频 RC 时钟  集成晶体起振电路  集成 32K RC 时钟  集成 96M Hz PLL  封装：LQFP48 脚通用封装 1.2 主要优势  高可靠性、高集成度、最终产品体积小、节约 BOM 成本。  内部集成 4 路高速运放和两路比较器，可满足单电阻/双电阻/三电阻电流采样拓扑架构的 不同需求；  内部高速运放集成高压保护电路，可以允许高电平共模信号直接输入芯片，可以用最简单 的电路拓扑实现 MOSFET 电阻直接电流采样模式；  可以实现硬件 MOSFET 温度漂移补偿电路，确保电流采样精度；  应用专利技术使 ADC 和高速运放达到最佳配合，可处理更宽的电流动态范围，同时兼顾高 速小电流和低速大电流的采样精度；  整体控制电路简洁高效，抗干扰能力强，稳定可靠；  单电源 3.3V~5V 供电，确保了系统供电的通用性; 适用于有感 BLDC/无感 BLDC/有感 FOC/无感 FOC 及两相步进电机等控制系统; 电源管理系统由 LDO33 模块、LDO15 模块、电源检测模块（PVD）、上电/掉电复位模块（POR） 组成。 该芯片由 3.3~5V 单电源供电，以节省芯片外的电源成本。芯片内部集成两路 LDO15，LDO33 给内部 ADC、DAC、基准电压源、运算放大器、比较器、温度传感器、RC 时钟、晶体时钟等模拟电 路供电。LDO15 为内部所有数字电路、PLL 模块供电。 两个 LDO 上电后自动开启，无需软件配置，但 LDO 输出电压可通过软件实现微调。 LDO33/LDO15 输出引脚上均需接 10uF 和 0.1uF 并联的去耦电容到地。去耦电容应尽可能靠近芯片 引脚的距离，且去耦电容接地点和芯片模拟地之间在 PCB 上有充分的敷地相连。LDO33 的负载驱动 电流为 40mA，LDO15 为 30mA。 LDO33 的输出电压可通过设置寄存器 LDO33TRIM<2:0>来调节，LDO15 的输出电压可通过设置 寄存器 LDO15TRIM<2:0>来调节，具体寄存器所对应值见模拟寄存器表说明。LDO33 和 LDO15 在 芯片出厂前已经过校正，一般情况下，用户不需要额外配置这些寄存器。如需微调 LDO 的输出电压， 需要读取原配置值，在此基础加上微调量对应的配置值填入寄存器。 POR 模块监测 LDO15 的电压，在 LDO15 电压低于 1.1V 时（例如上电之初，或者掉电之时）， 为数字电路提供复位信号以避免数字电路工作产生异常。 PVD 模块对 5V 输入电源进行检测，如低于某一设定阈值，则产生报警（中断）信号以提醒 MCU。 中断提醒阈值可通过寄存器 PVDSEL<1:0>设置为不同的电压。PVD 模块可通过设置 PD_PDT=’1’关 闭。具体寄存器所对应值见模拟寄存器表说明。