LKS32MC03x_3P3N_数据手册_v2.60

LKS32MC03x_3P3N_数据手册_v2.60 特性 o 48MHz 32 位 Cortex-M0 内核，硬件除法协处 理器 o 低功耗休眠模式，MCU 休眠功耗 30uA o -40~105℃工业级工作温度范围 o MCU 使用 2.5V~5.5V 单电源供电，门极驱动 器使用 7.5~28V 供电。 o 超强抗静电和群脉冲能力 存储 o 16kB flash/16kB flash+16kB ROM/32kB flash 三种规格，带 flash 防窃密功能 o 4kB RAM 时钟 o 内置 4MHz 高精度 RC 时钟，全温度范围精度 ±1% o 内置 64kHz 低速时钟，供低功耗模式使用 o 内部 PLL 可提供最高 48MHz 时钟 外设 o 一路 UART o 一路 SPI o 一路 IIC o 通用 16/32 位 Timer，支持捕捉和边沿对齐 PWM o 电机控制专用 PWM 模块，支持 6 路 PWM 输 出，独立死区控制 o Hall 信号专用接口，支持测速、去抖 o 4 通道 DMA o 硬件看门狗 o 最多支持 25 路 GPIO模拟模块 o 集成 1 路 12bit SAR ADC，1.2Msps 采样及转 换速率，共 11 通道 o 集成 2 路 OPA，可设置为差分 PGA 模式 o 集成两路比较器 o 集成 8bit DAC 数模转换器，作为内部比较器 输入 o 内置 1.2V 0.5%精度电压基准源 o 内置 1 路低功耗 LDO 和电源监测电路 o 集成高精度、低温漂高频 RC 时钟 主要优势  内部集成 2 路高速运放，可满足单电阻/双 电阻电流采样拓扑架构的不同需求；  运放输入端口集成电压钳位保护电路，只需 要外加两个限流电阻就可实现MOSFET 内阻直接 电流采样；  ADC模块变增益技术，可以和高速运放配合， 处理更宽的电流动态范围，兼顾小电流和大电流 的采样精度；  集成两路比较器；  ESD 及抗干扰能力强，稳定可靠；  高集成度、体积小、节约 BOM 成本  支持 IEC/UL60730 功能安全认证 应用场景 适用于有感 BLDC/无感 BLDC/有感 FOC/无 感 FOC 及步进电机、永磁同步、异步电机等控制 系统。适用数字电源控制系统。 1 概述 1.1 功能简述 LKS32MC035D(E)L6S8/LKS32MC037E(F)M6S8/LKS32MC037QM6Q8/LKS32MC039DK6Q8B 是 32 位内核的面向电机控制应用的紧凑型 MCU，集成了三相全桥自举式栅极驱动模块，可直接驱 动 3 对 P-N 型 MOSFET；LKS32MC039PL5K6Q8B/LKS32MC039PL3K6Q8B 集成了由 3 对 P-N 功率 MOS 组成的三相全桥电路，可直接驱动三相电机绕组。 ⚫ 性能 ➢ 48MHz 32 位 Cortex-M0 内核 ➢ 低功耗休眠模式 ➢ 集成三相全桥自举式栅极驱动模块 ➢ 工业级工作温度范围 ➢ 超强抗静电和群脉冲能力 ⚫ 存储器 ➢ 32kB Flash，带加密功能，带 128 位芯片唯一识别码 ➢ 4kB RAM ⚫ 工作范围 ➢ 双电源供电，MCU 部分采用 2.5V~5.5V 电源供电。3P3N 驱动模块采用 7.5~28V 电源供电。 ➢ 工作温度: -40~105℃ ⚫ 时钟 ➢ 内置 4MHz 高精度 RC 时钟，-40~105℃范围内精度在±1%之内 ➢ 内置低速 64kHz 低速时钟，供低功耗模式使用 ➢ 内部 PLL 可提供最高 48MHz 时钟 ⚫ 外设模块 ➢ 一路 UART ➢ 一路 SPI，支持主从模式 ➢ 一路 IIC，支持主从模式 ➢ 1 个通用 16 位 Timer，支持捕捉和边沿对齐 PWM 功能 ➢ 1 个通用 32 位 Timer，支持捕捉和边沿对齐 PWM 功能； ➢ 电机控制专用 PWM 模块，支持 8 路 PWM 输出，独立死区控制 ➢ Hall 信号专用接口，支持测速、去抖功能 ➢ 硬件看门狗 ➢ 25 路 GPIO。8 个 GPIO 可以作为系统的唤醒源。17 个 GPIO 可以用作外部中断源输入 ⚫ 模拟模块 ➢ 集成 1 路 12bit SAR ADC，1.2Msps 采样及转换速率，共 11 通道 ➢ 集成 2 通道运算放大器，可设置为差分 PGA 模式 ➢ 集成两路比较器 ➢ 集成 8bit DAC 数模转换器 ➢ 内置±2℃温度传感器 ➢ 内置 1.2V 0.5%精度电压基准源 ➢ 内置 1 路低功耗 LDO 和电源监测电路 ➢ 集成高精度、低温飘高频 RC 时钟 1.2 主要优势 ➢ 高可靠性、高集成度、最终产品体积小、节约 BOM 成本。 ➢ 内部集成 2 通道高速运放和两路比较器，可满足单电阻/双电阻电流采样拓扑架构的不同 需求； ➢ 内部高速运放集成高压保护电路，可以允许高电平共模信号直接输入芯片，可以用最简单 的电路拓扑实现 MOSFET 电阻直接电流采样模式； ➢ 应用专利技术使 ADC 和高速运放达到最佳配合，可处理更宽的电流动态范围，同时兼顾高 速小电流和低速大电流的采样精度； ➢ 整体控制电路简洁高效，抗干扰能力强，稳定可靠； ➢ 集成三相全桥自举式栅极驱动模块；LKS32MC039PL5K6Q8B/LKS32MC039PL3K6Q8B 集 成了由 3 对功率 MOS 组成的三相全桥电路。 ➢ LKS32MC037EM6S8/LKS32MC037FM6S8/LKS32MC035DL6S8/LKS32MC035EL6S8/LKS3 2MC039PL5K6Q8B 内部集成 5V LDO；LKS32MC039PL3K6Q8B 内部集成 3.3V LDO。 适用于有感 BLDC/无感 BLDC/有感 FOC/无感 FOC 及步进电机、永磁同步、异步电机等控制系统。