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多芯片LED与恒流源一体化混合集成设计

更新时间:2020-06-26 11:42:25 大小:509K 上传用户:xuzhen1查看TA发布的资源 标签:led 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

摘要:将多芯片LED与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计,保证了3~10 w的多芯片集成LED在低于100 mA的驱动电流下正常工作,恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LBD的工作电压在2~

200 V,恒定工作电流在10-100 mA选择,其恒流温度漂移小于5uA/℃,发光效率大于17Ln/w,同时简化了工频驱动电源电路的设计,减少远距离供电线路损耗.

关键词:多芯片LED;恒流;热阻;热沉;硅基板

1主要参数设计

采用单晶硅片作为基板,用双极型集成电路工艺方法在硅片上制作二氧化硅绝缘层、铝导电反光层,将多个LED芯片、SMD电容元件和DISIxxx系列浮压恒流集成芯片集成在基板上,通过光刻和扩散工艺,在单晶硅层形成反向稳压二极管,用于泄放静电,提高LDD的抗静电能力,设计的5w功率级集成LED,采用80个0.3 mm X0.3 mm的LED蓝光芯片,通过涂敷YAG荧光粉后发出白光.主要技术参数为:输入电压范围Vin:DC 150 V;恒定工作电流1o:20 ×2 mA;电流稳定误差A1o< 5%;恒流温度漂移A1,<54A/℃;抗静电电压:Vis 500V;电功率:Pm >w(加散热片);光效 7Ln/w;热阻:R S16 Kw(包括硅基板和铜热沉)

2电路结构设计

2.1电路原理设计

电路原理设计如图1所示,使用了两个DIS1020A浮压恒流集成一极管分为两路恒流驱动各40个串联LED,每路的工作电流为20 mA.在硅基板上,采用半导体扩散工艺制作了16个56 V/10 mA的稳压二极管以吸收、泄放静电,保护LED不会受到静电的击穿而失效,电路中,设计的电容、二极管主要为了吸收来自外部供电电源的谐波、脉冲和其它干扰信号,减少这些干扰信号对产品的影响,提高产品的可靠性和工作环境适应性.

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