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一种高电源纹波抑制比LDO线性稳压器的研究与设计
资料介绍
随着CMOS工艺的发展，沟道尺寸和电源电压不断降低。电源电压的降低减弱了芯片对电源噪声的抗干扰能力，因此研究设计高电源纹波抑制比（PSR）
的LDO意义重大。
本文在分析了提高LDO PSR技术发展动态的基础上，详细研究了前馈纹波消除技术（FFRC），并对其进行了建模分析。最终采用FFRC结构设计了一款高PSR的LDO，LDO采用极点分离和等效串联电阻（ESR）补偿技术达到稳定。
同时本文对提高带隙基准电压源PSR的理论和方法进行了详细地分析，在此基础上设计了一款高PSR的带隙基准。
采用matlab中simulink模块对电路系统进行建模分析，确定了电路模块参数，运用cadence软件对具体电路进行了设计仿真。采用UMC 0.18m CMOS工艺.LDO输出电压1.8v，工作电压范围2V到5V，负载电流范围0到30mA，静态电流低于100 A，线性压差低于200mV，最大负载调整率和线性调整率分别为231V/mA，0.0021%/v，输入电压2V时，直流PSR 80dB，在1M处PSR 60dB，负载电流为0到30mA的阶跃信号时，过冲电压低于10mV，分析结果显示本文的设计达到设计
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2024-08-01 11:18:11er1234555
需要点专业知识