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低压三相电抗器igbt电路实现

更新时间：2020-10-02 19:32:34 大小：1003K 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：电抗器igbt 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

主要针对低压三相电抗器的IGBT电路实现的问题进行了仿真分析。首先针对三相四线制低压电抗器IGBT电路实现问题进行分析,运用Multisim11.0软件进行电路仿真分析,仿真结果表明,接入IGBT电路实现的电抗器可以稳定运行,各相电流幅值误差在1%以内,相位误差在0.4°以内。然后,对三相三线制低压电抗器IGBT电路实现问题用相同的方法进行了分析,仿真结果表明,电路可以稳定运行,电流幅值误差在0.2%以内,相位误差在2以内。通过两项仿真实验,证明了低压电抗器IGBT电路实现的可行性,为其应用推广提供了理论上的依据。 The paper mainly analyzes the realization of low-voltage reactor using IGBT by stly,we analyze the case with three-phase four-wire result of simulation in simulation software Multisim11.0 shows that the circuit loaded with IGBT reactor can run stably,with current amplitude error limited in 1% and phase angle error limited in 0.4°.Then we do the same with three-phase three-wire result shows that the circuit can work stably,with current amplitude error limited in 0.2% and phase angle error limited in 2°.These two simulation experiments indicate the feasibility of implementing low-voltage reactor with IGBT and provide theoretical basis for promotin...

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