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IGBT的几种高性能IC选型设计
资料介绍
1 引言
电力电子变换技术的发展,使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展。20世纪80年代,为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件,有人提出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)"。在IGBT中,用一个MOS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输,这就产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件,它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能
的电源、逆变器、不间断电源(UPS)和交流电机调速装置的设计中,是目前最为常用的一种器件。
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资料:bitboy
全部评论(1)
2019-12-03 21:20:55yty001
学习一下!谢谢分享