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大容量IGBT可靠性的分析
资料介绍
功率半导体可控器件，按性能、原理可划分为晶体管和晶闸管两大类，其特点为"理想的导通器件是晶闸管，而理想关断器件是品体管"11可见，晶体管和晶闸管各有利弊，这一点在大容量器件上表现的尤为突出。
KBT（绝缘栅双极型晶体管）是继GTR功率晶体管）之后研发出的新型功率晶体管器件，主要解决GIR存在的二次击穿问题。KBT是将MOSFET场效应晶体管）
和GTR集成一体的复合器件，具有驱动功率小、开关速度快等优点，特别是解决了二次击穿问题，安全工作区扩宽，器件可靠性有所提高.目前的KBT，已经由起初的2004/1200V发展到1500A/3000V。
但工程应用反馈的情况表明，大容量KBT的故障损坏率较比小电流的高很多。据不完全统计，中、高压变频器因KBT失效而导致的故障占90%以上，而且年故障率较高，例如进口中Е器（690V/
400W），年均损坏5~6次；某电厂的6kV/560кW高压变频因故障率和维修费用高，甚至放弃了使用。
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