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IGBT的构造与工作原理详解
资料介绍
在绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor IGBT）得到大力发展以前
功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阳抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点；但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET 的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在者不能得到高耐压、大容量元件等的缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件；但是它要求的驱动电流大，控制
电路非常复杂，而且交换速度不够快。
IGBT正是作为顺应这种要求而开发的，它是由MOSFET（输入級）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有 MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十 KHz频率范围内。基于这些优异的特性，IGBT一直广泛使用在超过 300V电压的应用中，模块化的 IGBT可以满足更高的电流传导要求，其应用领域不断提高，今后将有更大的发展。
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