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IGBT指南剖析
资料介绍
介绍：
因为IGBT 具有简单的门极驱动和较低的导通损耗， 所以在大电流和大电压的应
用场合中它迅速取代了双极性功率晶体管。而且它在开关速度， 导通损耗和耐用
上的良好的折衷使得它在高频和高效领域中能逐步替代MOSFET 的位置。实际
上，除了十分低电流的应用，工业生产的趋势是用IGBT 取代功率MOSFET 。
为了帮助理解折中和帮助电路设计人员更好的选取和应用IGBT ，这个应用文件
提供了一个简单的IGBT 技术的介绍和APT IGBT 的数据表。
怎样选择IGBT
这个部分被专门放在技术文章之前。下列棘手的问题的答案将帮助确定那些
IGBT 适合于特别的应用。在NPT 和PT 之间的不同过会儿以使用条件和图的
形式解释。
1． 工作电压是多少？使得阻断IGBT 的最高电压应该不大于VCES 的80%
2． 它是硬开关还是软开关？因为他们拖尾电流较小， 所以PT 更适合于软开关，
但NPT 也可工作于软开关。
3． 流过它的电流是多大？前两数字给出一个可用的电流的大概的指标。在硬开
关应用中，频率-电流曲线将有助于决定该器件是否适合该应用。数据表中的
测试条件和实际应用中的不同应该被考虑在内。使用的示例将稍后给出。在
软开关应用中，应该将IC2 作为起始点。
4． 希望的开关速度是多少？如果答案是越快越好的话，那么PT 就是最好的选
择。另外，在硬开关应用中频率-电流曲线将有助于解决这个问题。
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资料：bitboy
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