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半导体单晶抛光片清洗工艺分析

更新时间：2022-11-03 09:49:18 大小：88K 上传用户：MDO4104B查看TA发布的资源 标签：半导体抛光片 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

随着半导体器件和大规模集成电路的迅速发 展 , 对半导体器件的电性能和可靠性的要求越来越 高 , 这就使半导体材料抛光片表面洁净度成为了材 料和器件发展的首要问题。 要得到高质量的半导体 抛光片 , 仅仅除去抛光片表面的沾污已不再是最终 的要求。 在清洗过程中造成的表面化学态、 氧化膜 厚度、 表面粗糙度等已成为同样的重要参数[1 ] 。 超 洁净表面是指不存在颗粒、 金属、 有机物等污染物 的洁净表面。 目前 , Si 单晶抛光片的清洗工艺已比 较成熟 , 普遍采用的是 RCA (美国无线电公司) 清洗法。 Si 抛光片的清洗工艺技术已不属于保密范 畴 , 而 GaAs , Ge 等抛光片的清洗工艺技术由于仅 被世界上少数公司所掌握 , 现在还是商业秘密。 本 文通过对几种半导体抛光片清洗工艺实例的分析 , 找出了半导体材料抛光片的关键技术。

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