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晶体硅太阳能电池效率异常分析与研究
资料介绍
通过对太阳能电池主要电性能参数进行理论分析与研究,结果表明,晶体硅太阳能电池效率异常主要包括两类,分别为开路电压与短路电流异常和填充因子异常;并结合电性能参数测试数据列举了异常数据类型,为解决工业生产中的效率异常提供参考。
By theoretical analysis of the main electrical performance parameters of solar cells,the results show that the efficiency abnormality of crystalline silicon solar cells mainly includes two types,namely open circuit voltage,short circuit current anomaly and fill factor bined with the test data of electrical performance parameter,the anomaly data types are listed to provide a beneficial reference for solving the efficiency abnormality in industrial production.
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| 晶体硅太阳能电池效率异常分析与研究.pdf | 619K |
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