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针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

更新时间：2020-10-25 22:06:10 大小：2M 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：碳化硅器件逆变器缓冲电路 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。

Due to the demand for high-power,high-frequency and high-temperature operating environments,silicon carbide devices have become the representative of next-generation semiconductor devices.However,the spike problem of silicon carbide(SiC)devices has been restricting the development of this new device.The silicon carbide metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor(SiC MOSFET)is taken as the research object,and the research on the peak problem is carried out from the aspect of using the silicon carbide device in the inverter,and the SiC is analyzed.The MOSFET generates peaks and oscillations during the switching process.By increasing the RC snubber circuit to optimize the spike and oscillation of the silicon carbide,the RC snubber circuit can be used to reduce the spikes and oscillations generated by the SiC device.Multiple sets of experiments are used to fit the data curve,and the equation relationship between the snubber capacitor and the snubber resistor in the RC snubber circuit is determined.

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