积分商城

最新搜索： IGBT资料 联想c560主板原理图 STM8S105 三极管封装库 3836 GJB 181B-2012
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

更新时间：2020-10-25 22:06:10 大小：2M 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：碳化硅器件逆变器缓冲电路 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。

Due to the demand for high-power,high-frequency and high-temperature operating environments,silicon carbide devices have become the representative of next-generation semiconductor devices.However,the spike problem of silicon carbide(SiC)devices has been restricting the development of this new device.The silicon carbide metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor(SiC MOSFET)is taken as the research object,and the research on the peak problem is carried out from the aspect of using the silicon carbide device in the inverter,and the SiC is analyzed.The MOSFET generates peaks and oscillations during the switching process.By increasing the RC snubber circuit to optimize the spike and oscillation of the silicon carbide,the RC snubber circuit can be used to reduce the spikes and oscillations generated by the SiC device.Multiple sets of experiments are used to fit the data curve,and the equation relationship between the snubber capacitor and the snubber resistor in the RC snubber circuit is determined.

部分文件列表

文件名 大小
针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计.pdf 2M

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号