推荐星级:
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计

更新时间:2020-10-20 23:00:35 大小:352K 上传用户:gsy幸运查看TA发布的资源 标签:存储器 下载积分:1分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。

Aimed at the "set back" causing low reset reliability in current RRAM design,we demonstrated a novel solution based on the analysis of test data and circuit principles to overcome the issue.The solution introduces a function to detect the reset operation and uses a feedback circuit to close the write driver once the reset is finished,which can prevent the unexpected set back in reset operation.Our solution has also been validated under 0.13 μm CMOS logic process,and it is proved to be effective with the test data support that the reset reliability should improve a lot with feedback circuit.

部分文件列表

文件名 大小
一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计.pdf 352K

全部评论(0)

暂无评论

上传资源 上传优质资源有赏金

  • 打赏
  • 30日榜单

推荐下载