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带静电放电保护二极管结构的功率晶体管
资料介绍
专利文件
本实用新型涉及一种带静电放电保护二极
管结构的功率晶体管。所述功率晶体管包括终端
区、有源区、位于终端区与有源区之间的多晶硅
栅极区，多晶硅栅极区与有源区中的多晶硅栅相
分离，多晶硅栅极区包括栅极和栅极两侧的静电
放电保护二极管结构，栅极和静电放电保护二极
管结构的材质均为多晶硅，栅极两侧的静电放电
保护二极管结构包括多个P型掺杂区和N型掺杂
区，且P型掺杂区和N型掺杂区在第一方向上间隔
排列，多晶硅栅极区两侧处于最外的N型掺杂区
开设有第一接触孔，栅极开设有第二接触孔。本
实用新型的多晶硅栅极区与有源区中的多晶硅
栅相分离，形成一个独立的小岛结构，便于栅极
通过第二接触孔引出与栅极金属连接，利于批量
封装。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 带静电放电保护二极管结构的功率晶体管.pdf | 513K |
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