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集成电路物理设计方法探究
资料介绍
随着工艺的不断发展，深亚微米Ic物理设计给了我们很大的挑战，比如在时序收敛、电压降、串扰分析等方面带来的挑战。本文以一块高性能单片机芯片的后端设计流程为例，讲述在0．18μm工艺下后端设计过程中所遇到的问题，以及解决问题的新方案，克服了以往后端设计耗时长的缺陷，在短时间内完成了后端设计。
As the development of process, IC physical design in Deep Submicron challenge,such as the challenge in timing closure,IR Drop ,crosstalk analysis a high-performance single chip microcomputer as an example, introduces the diffi in the back-end design in 0.18μm technology. We finished the back-end des drawback of time-consuming in back-end design.
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