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低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究

更新时间：2020-05-19 06:22:43 大小：328K 上传用户：IC老兵查看TA发布的资源 标签：集成电路 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

对低压下铜化学机械抛光（CMP）碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明：加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率（41.34kPa：1050nm/min;6.89 kPa：440nm/min）并降低了表面粗糙度：在较高压力（41.34 kPa）下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下（6.89 kPa）,铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求.

Chemical mechanical planarization（CMP） of Cu based alkaline Cu slurry in GLSI was investigated.Based on the CMP mechanism analysis of Cu in alkaline slurry,the performance of Cu removal rate and surface roughness with low down pressure were discussed in this paper.It is showed that with RNHOH as complexing agent,alkaline Cu slurry provided a robust polishing performance such as higher removal rate（13.78 kPa： 510 nm/min;6.89 kPa： 440 nm/min） than that of acidic slurry containing BTA,and favorable surface roughness（13.78 kPa： 0.47 nm;6.89 kPa： 0.42 nm） with low down pressure.

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低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究.pdf 328K

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