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集成电路芯片生产线项目可行性研究报告
资料介绍
本项目旨在建立一条6”0.35umSiGe集成电路芯片生产线，该生产线同Si集成电路具有兼容性，因此该生产线除了可以生产SiGe器件以外，也可以根据市场需求生产其它Si器件。本项目在投产初期，由于考虑到SiGe器件市场有一个发展过程，因而安排一定的生产量生产有用户需求的功率MOS器件，这样项目既考虑到一步就迈上了生产当前国际上先进的高频SiGe器件，为进一步发展这一类器件抢占更大的市场奠定基础，同时又能保证生产线的产量能达到饱和值，并为企业带来更大的效益。本项目的建立具有如下意义：
（1）填补国内SiGe高频器件生产的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。
SiGe高频器件是一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电路兼容集成的优点，因而深受各国重视。尽管1987年第一只SiGe HBT诞生，并经历了十几年的研究及发展，但一直到1998年真正的SiGe产品才问世。
本项目利用韩国合资方ELIATECH公司掌握的先进SiGe器件及电路工艺技术生产的SiGe器件及集成电路，使我国能在最短的时间内填补这种器件及电路的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。
（2）满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展随着我国光纤通信、航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本、小体积及能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。SiGe技术正好满足这些要求，因而建立6英寸0.35um SiGe集成电路生产线，能扭转我国目前高频电路主要依赖GaAs器件及大部分靠进口的状态，从而促进我国相关应用领域的发展。
（3）拓宽我国微电子产品的领域，形成我国SiGe集成电路生产及研发基地。
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