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硬开关硅IGBT？ 用碳化硅肖特基二极管将开关损耗减半
资料介绍
硅IGBT结合了双极晶体管的输出和开关特性以及MOSFET的易控性，已成为硬开关，高压（大于500 V）和高功率的首选电源开关（超过500瓦的应用。典型应用包括电机控制逆变器，不间断电源，焊接设备和开关电源（SMPS）。
电力电子产品对提高效率，降低冷却，减小尺寸和重量以及更严格的EMI / RFI和电能质量要求的不断增长的需求给设计者带来了新的挑战。当切换硬开关拓扑中的感性负载时，IGBT导通期间的高瞬态损耗极大地影响了所有这些要求。硅续流二极管关断时的反向恢复电流直接影响IGBT的导通瞬态。为了复合，二极管反向恢复电流随着工作温度，二极管电流和di / dt的增加而增加。
通过用SiC肖特基势垒二极管（SBD）代替硅续流PiN二极管，可以大大减少二极管反向恢复电流和IGBT开关损耗。由于硅的材料特性，在200多伏的范围内不可能使用硅肖特基二极管。
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| 文件名 | 大小 |
| hard_switched_silicon_igbts_cut_switching_losses_in_half_with_silicon_carbide_schottky_diodes.pdf | 4M |
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