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H桥驱动电路MX113L产品手册_V1.0.pdf
资料介绍
— 低待机电流 (小于 0.1uA)
— 低导通内阻 MOSFET 功率开关管
— 采用 MOS 工艺设计功率管
— 800 毫安通道功率管内阻 0.43 欧姆
— 200 毫安通道功率管内阻 0.36 欧姆
| | 内部集成续流二极管 — 无需外接续流二极管 |
| | 超小型封装尺寸 — 采用 SOT23-6 封装 |
— 含引脚外形尺寸 2.92mm*2.8mm
| | 较小的输入电流 — 集成约 7K 对地下拉电阻 |
— 3V 驱动信号平均 420uA 输入电流
内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)
抗静电等级： 3KV (HBM)
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