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利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA
资料介绍
在通信接收器中低噪声放大器LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术,包括过滤和低温冷却,但低噪声放大器的良好性能,提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法。随之而来的是对工作于X频段(8GHz)的低功率(电池供电儿LNA设计的探索。设计比较了在目标是工作于的几毫瓦DC电源的单片微波集成电路(MM|c)中GaAs PHem噌强型(E模式)和耗尽型(D模式)晶体管的使用低功率工作目标与处理不必要的(blocking)信号的应用相互矛盾。这类应用要求严格过滤和或具有良好线性的LNA其线性特性以三阶截止点(P3)表示。还有,许多如全球定位系统(GPs)
接收器等无线应用,可利用低功率LNA增强在没有干扰或 blocking信号时的弱信号考虑用于LNA设计的 GaAsPHEM有两种不同的器件形式:具有典型负栅阈值电压的D模式晶体管和具有正棚阈值电压的E模式晶体管。正栅阈值电压简化了电池供电系统中的偏压。尽管有可能采用一节电池对D模式器件供电,但它需要消耗额外的流入源电阻的DC功率以满足在LNA设计中,第一步是确定哪种类型器件提供最好的功能与性能的组合。下一步是选择器件的大小尺寸。器件尺寸将影响
宽、DC功耗、噪声值和非线性性能。对于一阶效应,器件尺寸不会影响増益和噪声值。然而,随着器件变得更小,匹配电路和相互联接的电阻损
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资料:bitboy
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