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反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计

更新时间：2020-07-11 09:35:54 大小：272K 上传用户：zhiyao6查看TA发布的资源 标签：fpga 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

针对反熔丝FPGA电路，在“强光一号”加速器上进行了瞬时电离辐射试验，发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零，使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题，设计了一种“FPGA＋FRAM（铁电存储器）＋特殊时序读写软件”的加固电路，通过γ射线瞬时电离辐射试验证明：该加固电路实现了瞬时电离辐射状态下FPGA内部重要数据的实时保存与恢复，成功规避了FPGA电路的瞬时电离辐射效应。

The γ transient Ionizing radiation effects of Antifuse- based FPGA Circuit were investgated using ＂Qiangguang - I ＂ accelerator. It was detected that γ transient Ionizing radiation result in FPGA registers were reset. So, in order to resolve the problem, the especial hardened antifuse - based FPGA circuit was designed, that comprises FPGA, FRAM and especial read - write soft . The transient Ionizing radiation experiment data proved that the design was successful in achieving the FPGA information saving and resume , avoiding γ transient radiation effects.

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